เวเฟอร์ซิลิคอนดัมมี่โมโนคริสตัลไลน์ 300 มม

Monocrystalline silicon wafers ผลิตโดยการปลูกผลึกซิลิกอนเดี่ยวจากเมล็ดคริสตัลโดยใช้วิธี Czochralski ในกระบวนการนี้ คริสตัลเมล็ดเล็กๆ จะถูกจุ่มลงในซิลิกอนหลอมเหลว และค่อยๆ ดึงออกมาในขณะที่หมุน ซึ่งจะสร้างแท่งโลหะทรงกระบอก จากนั้นลิ่มจะถูกหั่นเป็นเวเฟอร์บาง ๆ โดยใช้เลื่อยลวดเพชร

เวเฟอร์ซิลิคอนชนิดโมโนคริสตัลไลน์เป็นพื้นผิวที่สม่ำเสมอและปราศจากข้อบกพร่องที่ทำจากผลึกเดี่ยวของซิลิคอน โดยทั่วไปแล้วจะมีรูปร่างเป็นวงกลมที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางตั้งแต่ไม่กี่มิลลิเมตรไปจนถึง 450 มิลลิเมตรขึ้นไป และมีความหนาตั้งแต่ไม่กี่ไมครอนไปจนถึงหลายร้อยไมครอน

เวเฟอร์ซิลิคอนชนิดโมโนคริสตัลไลน์มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยม รวมถึงการเคลื่อนที่พาหะสูง ความต้านทานต่ำ และความเป็นฉนวนไฟฟ้าสูง ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีประสิทธิภาพสูง นอกจากนี้ยังมีค่าการนำความร้อนสูงและสามารถทนต่ออุณหภูมิสูง ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์