ซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC 1-5มม

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นสารประกอบสังเคราะห์ที่ประกอบด้วยซิลิคอนและคาร์บอน เป็นวัสดุที่แข็งและทนทานสูงพร้อมการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม จุดหลอมเหลวสูง และการนำไฟฟ้าสูง SiC ผลิตขึ้นจากการผสมผสานระหว่างอุณหภูมิและความดันสูง วิธีการทั่วไปในการผลิต SiC คือกระบวนการ Acheson ซึ่งเกี่ยวข้องกับขั้นตอนต่อไปนี้:

การเตรียมวัตถุดิบ: วัตถุดิบในการผลิต SiC ได้แก่ ทรายซิลิกาและปิโตรเลียมโค้ก วัสดุเหล่านี้ถูกคัดสรรมาอย่างดีและผสมในสัดส่วนที่ต้องการ อาจมีการเติมวัสดุอื่นๆ เช่น ขี้เลื่อยหรือเกลือเพื่อปรับปรุงความพรุนของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้าย

การชาร์จเตา: วัตถุดิบจะถูกชาร์จเข้าไปในเตาต้านทานไฟฟ้าที่บุด้วยอิฐคาร์บอน เตาถูกให้ความร้อนที่อุณหภูมิประมาณ 2,200 องศา ซึ่งทำให้คาร์บอนในโค้กทำปฏิกิริยากับซิลิกาเพื่อสร้าง SiC

การก่อตัวของ SiC: เมื่ออุณหภูมิของเตาเพิ่มขึ้น ปฏิกิริยาระหว่างคาร์บอนและซิลิกาจะรุนแรงขึ้น และผลึก SiC จะเริ่มก่อตัวขึ้น ผลึก SiC เติบโตขึ้นเมื่อปฏิกิริยาดำเนินไป และในที่สุดก็เกิดมวล SiC ที่เป็นของแข็ง

การบดและการร่อน: มวล SiC ที่เป็นของแข็งจะถูกบดและร่อนตามขนาดที่ต้องการ ขนาดของเม็ด SiC อาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับการใช้งานที่ต้องการ

การบำบัดด้วยสารเคมี: ธัญพืช SiC อาจผ่านการบำบัดทางเคมีเพื่อขจัดสิ่งเจือปนที่อาจส่งผลต่อคุณภาพ การรักษาอาจเกี่ยวข้องกับการใช้กรด ด่าง หรือสารเคมีอื่นๆ

บรรจุภัณฑ์และการจัดเก็บ: ผลิตภัณฑ์ SiC สุดท้ายจะถูกบรรจุในภาชนะที่เหมาะสมและเก็บไว้ในที่แห้งและมีอากาศถ่ายเทสะดวกจนกว่าจะพร้อมสำหรับการขนส่ง