หน้าหลัก - สินค้า - โมโนคริสตัลไลน์ ซิลิคอน เวเฟอร์ - รายละเอียด

เวเฟอร์ซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ขัดเงาสองด้าน

เวเฟอร์ซิลิคอนชนิดโมโนคริสตัลไลน์มักจะบรรจุในฟิล์มกันกระแทกหรือวัสดุโฟมเพื่อปกป้องพื้นผิวและความสมบูรณ์

คำอธิบาย

Monocrystalline silicon wafer มีลักษณะเฉพาะของความบริสุทธิ์สูง คุณภาพผลึกสูง เนื้อหาสิ่งเจือปนต่ำ และความเสถียรที่ดี ความเรียบของพื้นผิวและประสิทธิภาพการแปลงโฟโตอิเล็กทริกอยู่ในระดับสูง ซึ่งสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์ได้ ในการผลิตวงจรรวม โมโนคริสตัลไลน์ซิลิคอนสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของชิปได้

ข้อมูลจำเพาะ:
เวเฟอร์ซิลิคอนชนิดโมโนคริสตัลไลน์มักจะระบุในแง่ของเส้นผ่านศูนย์กลางและความหนา ในปัจจุบัน เส้นผ่านศูนย์กลางของแผ่นโมโนคริสตัลซิลิคอนสามารถเข้าถึงได้มากกว่า 300 มม. และความหนาอาจสูงถึงหลายสิบถึงหลายร้อยไมครอน การใช้งานที่แตกต่างกันนั้นต้องการคุณสมบัติเฉพาะที่แตกต่างกันของเวเฟอร์ซิลิคอนชนิดโมโนคริสตัลไลน์

ข้อมูลจำเพาะ

โครงสร้างผลึก	โมโนคริสตัลไลน์	มุมบาก	90 องศาบวก 5 องศา /-1 องศา
วิธีการเจริญเติบโต	เช็ก	การวางแนวบาก	<100>บวก -1 องศา หรือ<110>บวก -1 องศา
ความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ (oms / cm * 3)	ยอมรับได้หรือไม่มี	กลิ้ง	ใช่หรือไม่
ประเภทสื่อกระแสไฟฟ้า	P/N	ความยาว (มม.)	>=100มม
การวางแนวคริสตัล	111/100/110	MOQ(>=200กก.)	380กก./เตา
ความต้านทาน (Ω.ซม.)	0.001-1000	เส้นผ่านศูนย์กลาง (มม.)	มาตรฐานของลูกค้า
เจือปน	B/P/As/Sb	ความเข้มข้นของออกซิเจน (ppma)
ช่วงเส้นผ่านศูนย์กลางคริสตัล (มม.)	100-360	ความเข้มข้นของคาร์บอน (ppma)
พื้นผิวโลหะ (oms/cm*2)	<=5E10	ร.ฟ.ท
บาก	มาตรฐาน SEMI	ออ
ความลึกของร่อง (มม.)	1.0 บวก 0.25/-0.00	อายุการใช้งาน (เรา)